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ZXMD65P02N8TC
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
ZXMD65P02N8TC
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL P-CHAN 20V 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXMD65P02N8TC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-SOP
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMD65P02N8TC 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 2.9A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：960pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
ZXMD65P02N8TC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMD65P02N8TC
|
DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
4 Pages页,66K | 查看 |