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ZXMD65N03N8TA
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
更新日期：2024-04-01
ZXMD65N03N8TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
ZXMD65N03N8TA 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-SO
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMD65N03N8TA 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：?
- 其它名称：ZXMD65N03N8DKR