ZXMD63P02XTA
FET - 阵列- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.48-$0.6
更新日期:2025-03-03 16:03:02
ZXMD63P02XTA
FET - 阵列产品简介:MOSFET 2P-CH 20V 1.7A 8-MSOP
- 封装:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.48-$0.6
ZXMD63P02XTA 中文资料属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 个 P 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:-
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.25nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:290pF @ 15V
- 功率 - 最大:870mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
- 供应商设备封装:8-MSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:ZXMD63P02XTRZXMD63P02XTR-ND
ZXMD63P02XTA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
ZXMD63P02XTA
|
DUAL 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
7 Pages页,209K | 查看 |

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ZXMD63P02XTA