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ZXMD63N02XTC
FET - 阵列- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
ZXMD63N02XTC
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8MSOP
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXMD63N02XTC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
DiodesIncorporated
-
8-MSOP
18+ -
400
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上海市
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-
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMD63N02XTC 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：350pF @ 15V
- 功率 - 最大：870mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：8-MSOP
- 包装：带卷 (TR)
ZXMD63N02XTC 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMD63N02XTC
|
DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
7 Pages页,178K | 查看 |