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ZXMC4A16DN8TC
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
ZXMC4A16DN8TC
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXMC4A16DN8TC 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
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DiodesIncorporated
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8-SO
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
ZXMC4A16DN8TC 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A，3.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：770pF @ 40V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)