搜索
发布采购
ZXMC4559DN8TA
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6-$0.875
更新日期：2024-04-01
ZXMC4559DN8TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6-$0.875
ZXMC4559DN8TA 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Diodes
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
ZXMC4559DN8TA 中文资料属性参数
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A，2.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1063pF @ 30V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMC4559DN8TR
ZXMC4559DN8TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMC4559DN8TA
|
COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
10 Pages页,283K | 查看 |