ZXMC3AMCTA
FET - 阵列- 封装:8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.3432-$0.4004
更新日期:2024-04-01 00:04:00
ZXMC3AMCTA
FET - 阵列产品简介:MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
- 封装:8-WDFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.3432-$0.4004
ZXMC3AMCTA 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:N 和 P 沟道
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.9A,2.1A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:120 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:3.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:190pF @ 25V
- 功率 - 最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:8-DFN(3x2)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:ZXMC3AMCTATR

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