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ZXMC3AM832TA
FET - 阵列- 封装：8-MLP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2025-03-03 16:03:02
ZXMC3AM832TA
FET - 阵列产品简介：MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2
- 封装：8-MLP
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
ZXMC3AM832TA 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.9A，2.1A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：120 毫欧 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.9nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：190pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-MLP
- 供应商设备封装：8-MLP（3x2）
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMC3AM832TATR
ZXMC3AM832TA 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 ZXMC3AM832TA
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MPPS⑩ Miniature Package Power Solutions COMPLEMENTARY 30V ENHANCEMENT MODE MOSFET |
10 Pages页,281K | 查看 |