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ZXMC10A816N8TC
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.336-$0.392
更新日期：2024-04-01
ZXMC10A816N8TC
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.336-$0.392
ZXMC10A816N8TC 供应商
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DIODES
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2021+ -
28000
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苏州
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ZXMC10A816N8TC 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：230 毫欧 @ 1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.2nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：497pF @ 50V
- 功率 - 最大：1.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：ZXMC10A816N8DITR