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更新日期：2024-04-01 00:04:00
VWM200-01P 中文资料属性参数
- 标准包装：5
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：6 N-沟道（3 相桥）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：210A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.2 毫欧 @ 100A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 2mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：430nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：V2-PAK
- 供应商设备封装：V2-PAK
- 包装：盒