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UP04979G0L
FET - 阵列- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
UP04979G0L
FET - 阵列产品简介：MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
UP04979G0L 中文资料属性参数
- 数据列表：UP04979G0L View all Specifications
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：50V，30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 欧姆 @ 10mA，4V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：125mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SSMini6-F2
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：UP04979G0LTR