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UP0187B00L
FET - 阵列- 封装：SOT-665
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
UP0187B00L
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5
- 封装：SOT-665
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
UP0187B00L 中文资料属性参数
- 数据列表：UP0187B00L View all Specifications
- 标准包装：8,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 欧姆 @ 10mA，4V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 1µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：12pF @ 3V
- 功率 - 最大：125mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-665
- 供应商设备封装：SSMini5-F2
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：UP0187B00LTR
UP0187B00L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 UP0187B00L
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MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI-5 |
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