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TPC8216-H(TE12L,Q)
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.634
更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPC8216-H(TE12L,Q)
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8SOP
- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.634
TPC8216-H(TE12L,Q) 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.3V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
- 包装：带卷 (TR)