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TPC8208(TE12L,Q,M)
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.261
更新日期：2024-04-01
TPC8208(TE12L,Q,M)
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 20V 5A SOP8
- 封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.261
TPC8208(TE12L,Q,M) 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 2.5A，4V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 200µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.5nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：780pF @ 10V
- 功率 - 最大：750mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOP（5.5x6.0）
- 包装：带卷 (TR)