- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$0.59985-$1.4
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:STripFET™
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:8A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 4A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:800pF @ 25V
- 功率 - 最大:1.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:Digi-Reel?
- 其它名称:497-2470-6