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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.66-$0.743
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET P-CHAN 20V 5A 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.66-$0.743
STS5DPF20L 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：STripFET™
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 2.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1350pF @ 16V
- 功率 - 最大：1.6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：497-4758-2
STS5DPF20L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STS5DPF20L
|
MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC |
9页,307K | 查看 |