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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
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STS3C2F100 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：STripFET™
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：145 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：460pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS3C2F100 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STS3C2F100
|
COMPLEMENTARY PAIR STripFETTM POWER MOSFET |
11 Pages页,363K | 查看 |