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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.3465-$0.87
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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STS2DNF30L 中文资料属性参数
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- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：STripFET™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 1A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：121pF @ 25V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：497-12799-6
STS2DNF30L 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STS2DNF30L
|
N-CHANNEL 30V - 0.09 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET |
8 Pages页,269K | 查看 |