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- 封装：8-PowerVDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.8791-$1.88
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N CH 100V 20A 5X6
- 封装：8-PowerVDFN
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.8791-$1.88
STL8DN10LF3 供应商
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ST
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TSSOP
23+ -
46000
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合肥
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科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
STL8DN10LF3 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：STripFET™ III
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 4A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：970pF @ 25V
- 功率 - 最大：70W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-PowerVDFN
- 供应商设备封装：PowerFlat?（5x6）
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：497-13168-6