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SIZ920DT-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：6-PowerPair?
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6804-$0.76545
更新日期：2024-04-01
SIZ920DT-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR
- 封装：6-PowerPair?
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6804-$0.76545
SIZ920DT-T1-GE3 供应商
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SIZ920DT-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 N 沟道（半桥）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：40A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7.1 毫欧 @ 18.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：35nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1260pF @ 15V
- 功率 - 最大：39W，100W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-PowerPair?
- 供应商设备封装：6-PowerPair?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SIZ920DT-T1-GE3TR
SIZ920DT-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIZ920DT-T1-GE3
|
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR |
14页,212K | 查看 |