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SIB911DK-T1-E3
FET - 阵列- 封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.252-$0.294
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIB911DK-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET P-CH 20V PWRPAK SC75-6
- 封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.252-$0.294
SIB911DK-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SIB911DK
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：295 毫欧 @ 1.5A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：115pF @ 10V
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L 双
- 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SIB911DK-T1-E3TR