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SIB900EDK-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.15-$0.19375
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SIB900EDK-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
- 封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.15-$0.19375
SIB900EDK-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：225 毫欧 @ 1.6A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.7nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L 双
- 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 双
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SIB900EDK-T1-GE3TR
SIB900EDK-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SIB900EDK-T1-GE3
|
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 |
7页,135K | 查看 |