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SI9934BDY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.288-$0.348
更新日期：2024-04-01
SI9934BDY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.288-$0.348
SI9934BDY-T1-E3 供应商
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SI9934BDY-T1-E3
原装现货 -
VISHAY威世
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SOP8
2008 -
12
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深圳
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11-18
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原装现货
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VishaySiliconix
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21+ -
20000
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上海市
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原装现货，品质为先！请来电垂询！
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模块
NEW -
3600
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苏州
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全新原装，VISHAY代理
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VISHAY
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SOP8
新批号 -
887000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
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模块
NEW -
3600
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厦门
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全新原装，VISHAY代理
SI9934BDY-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI9934BDY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI9934BDY-T1-E3TR
SI9934BDY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI9934BDY-T1-E3
|
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
5 Pages页,56K | 查看 |