搜索
发布采购
SI7998DP-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：PowerPAK? SO-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.5704-$0.644
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI7998DP-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
- 封装：PowerPAK? SO-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.5704-$0.644
SI7998DP-T1-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VISHAY INTERTECHNOLOGIES
-
连接器
新批号 -
8887770
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
SEMTECH
-
-
最新批号 -
8800
-
上海市
-
-
-
VISHAY
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI7998DP-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：25A，30A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.3 毫欧 @ 15A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1100pF @ 15V
- 功率 - 最大：22W，40W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI7998DP-T1-GE3-NDSI7998DP-T1-GE3TR
SI7998DP-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI7998DP-T1-GE3
|
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
18页,393K | 查看 |