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SI7997DP-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：PowerPAK? SO-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.852-$0.9585
更新日期：2024-04-01
SI7997DP-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- 封装：PowerPAK? SO-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.852-$0.9585
SI7997DP-T1-GE3 供应商
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SI7997DP-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.5 毫欧 @ 20A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：160nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：6200pF @ 15V
- 功率 - 最大：46W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? SO-8 双
- 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8 Dual
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI7997DP-T1-GE3TR