SI7288DP-T1-GE3
FET - 阵列- 封装:PowerPAK? SO-8 双
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.528-$0.616
更新日期:2025-01-08

SI7288DP-T1-GE3
FET - 阵列产品简介:MOSFET N-CH 40V 8-SOIC
- 封装:PowerPAK? SO-8 双
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.528-$0.616
SI7288DP-T1-GE3 供应商
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SI7288DP-T1-GE3
原装现货 -
VISHAY
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PPAKSO-8
22+ -
15000
-
深圳
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01-08
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原厂渠道,现货,支持实单
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VISHAY/威世
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SMD
22+ -
6000
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上海市
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-
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原装进口
-
二极管
-
Vishay
连可连代销V -
4002
-
上海市
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-
-
1
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
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SI7288DP-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):40V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:20A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:19 毫欧 @ 10A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:15nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:565pF @ 20V
- 功率 - 最大:15.6W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI7288DP-T1-GE3TR