SI7220DN-T1-E3
FET - 阵列- 封装:PowerPAK? 1212-8 双
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.73378-$0.80865
更新日期:2024-04-01 00:04:00
SI7220DN-T1-E3
FET - 阵列产品简介:MOSFET DUAL N-CH 60V 1212-8
- 封装:PowerPAK? 1212-8 双
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.73378-$0.80865
SI7220DN-T1-E3 供应商
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SI7220DN-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表:SI7220DN
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:TrenchFET®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 4.8A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:SI7220DN-T1-E3TR
SI7220DN-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
SI7220DN-T1-E3
|
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A 1212-8 |
12页,557K | 查看 |

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SI7220DN-T1-E3