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SI7212DN-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：PowerPAK? 1212-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.402-$0.469
更新日期：2024-04-01
SI7212DN-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 封装：PowerPAK? 1212-8 双
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.402-$0.469
SI7212DN-T1-GE3 供应商
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SI7212DN-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.9A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：36 毫欧 @ 6.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：11nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8 双
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8 Dual
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI7212DN-T1-GE3TR
SI7212DN-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI7212DN-T1-GE3
|
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8 |
12页,542K | 查看 |