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SI5920DC-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
SI5920DC-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8
- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
SI5920DC-T1-E3 供应商
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- 说明
- 询价
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模块
NEW -
3600
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苏州
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全新原装，VISHAY代理
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模块
NEW -
3600
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厦门
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全新原装，VISHAY代理
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原装VISHAY
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最新批号 -
8800
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上海市
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SI5920DC-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：8V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：32 毫欧 @ 6.8A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：680pF @ 4V
- 功率 - 最大：2.04W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI5920DC-T1-E3TR