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SI5511DC-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI5511DC-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 1206-8
- 封装：8-SMD，扁平引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
SI5511DC-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A，3.6A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 4.8A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：435pF @ 15V
- 功率 - 最大：3.1W，2.6W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SMD，扁平引线
- 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI5511DC-T1-GE3TR