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SI4972DY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
SI4972DY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFT DL NCH 30V 10.8/7.2A 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
SI4972DY-T1-E3 供应商
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SI4972DY-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI4972DY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.8A，7.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14.5 毫欧 @ 6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：28nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1080pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4972DY-T1-E3TR