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SI4936ADY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.5026
更新日期：2024-04-01
SI4936ADY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.5026
SI4936ADY-T1-E3 供应商
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VISHAY
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上海市
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VISHAY
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模块
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3600
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厦门
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全新原装，VISHAY代理
SI4936ADY-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：36 毫欧 @ 5.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
SI4936ADY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI4936ADY-T1-E3
|
Transistor; Continuous Drain Current, Id:5.9A; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1V; Power Dissipation, Pd:1.1W ;RoHS Compliant: Yes |
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