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SI4922BDY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.4596-$0.5362
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI4922BDY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.4596-$0.5362
SI4922BDY-T1-E3 供应商
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SI4922BDY-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI4922BDY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2070pF @ 15V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4922BDY-T1-E3TR
SI4922BDY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI4922BDY-T1-E3
|
MOSFET, DUAL, N, SOIC; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:12V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V; Power Dissipation Pd:2W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:8A; Package / Case:SOIC; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Base Number:4922; N-channel Gate Charge:19nC; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:24mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:18mohm; On State resista... |
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