搜索
发布采购
SI4816BDY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6324-$0.71145
更新日期：2024-04-01
SI4816BDY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.6324-$0.71145
SI4816BDY-T1-E3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VISHAY/威世
-
SOP8
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货，大量现货热卖
-
VISHAY
-
SOP-8
23+ -
15000
-
上海市
-
-
-
中国区代理原装现货热卖特价
-
VISHAY
-
SOP
05+ -
2000
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先！请来电垂询！
-
模块
NEW -
3600
-
苏州
-
-
-
全新原装，VISHAY代理
-
VISHAY
-
SOP8
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
模块
NEW -
3600
-
厦门
-
-
-
全新原装，VISHAY代理
-
VISHAY
-
-
最新批号 -
8800
-
上海市
-
-
-
VISHAY
-
TSSOP
23+ -
46000
-
合肥
-
-
-
科大讯飞战略投资企业，提供一站式配套服务
SI4816BDY-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI4816BDY
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.8A，8.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18.5 毫欧 @ 6.8A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1W，1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4816BDY-T1-E3TR
SI4816BDY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI4816BDY-T1-E3
|
DUAL N CHANNEL MOSFET, 30V, SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):15.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes |
10页,110K | 查看 |