SI4808DY-T1-E3
FET - 阵列- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.8235
更新日期:2024-04-01
SI4808DY-T1-E3
FET - 阵列产品简介:MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.8235
SI4808DY-T1-E3 供应商
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上海市
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3600
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SI4808DY-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:LITTLE FOOT®
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.7A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
- 功率 - 最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOICN
- 包装:带卷 (TR)