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SI4532ADY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.2958
更新日期：2024-04-01
SI4532ADY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.2958
SI4532ADY-T1-E3 供应商
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SI4532ADY-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.7A，3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：53 毫欧 @ 4.9A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：1.13W，1.2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
SI4532ADY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI4532ADY-T1-E3
|
MOSFET, DUAL, NP, SO-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:4.9A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:4.9A; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:1.13W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V |
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