搜索
发布采购
SI4340CDY-T1-E3
FET - 阵列- 封装：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
SI4340CDY-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- 封装：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
SI4340CDY-T1-E3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VishaySiliconix
-
-
21+ -
32500
-
上海市
-
-
-
原装现货，品质为先！请来电垂询！
-
模块
NEW -
3600
-
苏州
-
-
-
全新原装，VISHAY代理
-
模块
NEW -
3600
-
厦门
-
-
-
全新原装，VISHAY代理
SI4340CDY-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14.1A，20A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.4 毫欧 @ 11.5A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 10V
- 功率 - 最大：3W，5.4W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：14-SOICN
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI4340CDY-T1-E3TR
SI4340CDY-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI4340CDY-T1-E3
|
MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC |
12页,1.1M | 查看 |