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SI3585DV-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.228-$0.2755
更新日期：2024-04-01
SI3585DV-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
- 封装：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.228-$0.2755
SI3585DV-T1-GE3 供应商
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SOT23-6
23+ -
46000
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合肥
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SI3585DV-T1-GE3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI3585DV
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A，1.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 2.4A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：600mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.2nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：830mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
- 供应商设备封装：6-TSOP
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI3585DV-T1-GE3TR