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SI1970DH-T1-E3
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.1152-$0.1488
更新日期：2024-04-01 00:04:00
SI1970DH-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.1152-$0.1488
SI1970DH-T1-E3 供应商
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SI1970DH-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI1970DH
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：225 毫欧 @ 1.2A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.6V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：3.8nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：95pF @ 15V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1970DH-T1-E3TR
SI1970DH-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI1970DH-T1-E3
|
MOSFET, DUAL, N, SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.3A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):225mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.6V; Power Dissipation Pd:1.25mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.3A; Package / Case:SOT-323; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Base Number:1970; N-channel Gate Charge:1.15nC; On State Resistance @ Vgs = 2.5V:345mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:225mohm; Power Dissipation Pd:1... |
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