搜索
发布采购
SI1965DH-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.132-$0.1705
更新日期：2024-04-01
SI1965DH-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.132-$0.1705
SI1965DH-T1-GE3 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
VIS
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
SI1965DH-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：12V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：390 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.2nC @ 8V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：120pF @ 6V
- 功率 - 最大：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1965DH-T1-GE3TR
SI1965DH-T1-GE3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI1965DH-T1-GE3
|
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6 |
7页,109K | 查看 |