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SI1926DL-T1-E3
FET - 阵列- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.108-$0.1395
更新日期：2024-04-01
SI1926DL-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6
- 封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.108-$0.1395
SI1926DL-T1-E3 供应商
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SI1926DL-T1-E3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：370mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.4 欧姆 @ 340mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：18.5pF @ 30V
- 功率 - 最大：510mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商设备封装：SC-70-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1926DL-T1-E3TR