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SI1034X-T1-E3
FET - 阵列- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01
SI1034X-T1-E3
FET - 阵列产品简介：MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
SI1034X-T1-E3 供应商
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SI1034X-T1-E3 中文资料属性参数
- 数据列表：SI1034X
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：180mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 200mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：0.75nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1034X-T1-E3TR
SI1034X-T1-E3 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SI1034X-T1-E3
|
N CHANNEL MOSFET, 20V, SC-89; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:200mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):9ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes |
5页,66K | 查看 |