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SI1025X-T1-GE3
FET - 阵列- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.132-$0.1705
更新日期：2024-04-01
SI1025X-T1-GE3
FET - 阵列产品简介：MOSFET P-CH 60V 190MA SC-89
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.132-$0.1705
SI1025X-T1-GE3 供应商
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SI1025X-T1-GE3 中文资料属性参数
- 标准包装：3,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchFET®
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：190mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 欧姆 @ 500mA，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：1.7nC @ 15V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：23pF @ 25V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SC-89-6
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：SI1025X-T1-GE3TR