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- 封装：6-UDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.28875-$0.72
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118
- 封装：6-UDFN 裸露焊盘
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$0.28875-$0.72
PMDPB65UP,115 中文资料属性参数
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：380pF @ 10V
- 功率 - 最大：520mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：6-HUSON
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：568-6496-6