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- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
PHN210,118 中文资料属性参数
- 标准包装：10,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：TrenchMOS™
- FET 型：2 个 N 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.2A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：6nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：250pF @ 20V
- 功率 - 最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：934033430118PHN210 /T3PHN210 /T3-ND