搜索
发布采购
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.142
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET DUAL N/P-CH SOT666
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.142
NX1029X,115 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：*
- 漏极至源极电压(Vdss)：60V，50V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：410mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：-
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：-
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：-
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-666
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NX1029X115