- 封装:8-PowerTDFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.36016
更新日期:2024-04-01

产品简介:MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC
- 封装:8-PowerTDFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.36016
NVMFD5877NLT1G 供应商
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ON/安森美
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ONSemiconductor
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8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通
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NVMFD5877NLT1G 中文资料属性参数
- 标准包装:1,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:2 个 N 沟道(双)
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:39 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:5.9nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:540pF @ 25V
- 功率 - 最大:3.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商设备封装:8-DFN(5x6)
- 包装:带卷 (TR)