- 封装:SOT-563,SOT-666
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0918
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563
- 封装:SOT-563,SOT-666
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.0918
NTZD3155CT2G 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
NTZD3155CT2G
原装现货 -
ON
-
SOT563
2202+22 -
19340
-
深圳
-
12-12
-
原装进口ON专卖店
-
onsemi
-
TSSOP24
21+ -
605620
-
上海市
-
-
-
一级代理原装
-
ON/安森美
-
SMD
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货,大量现货热卖
-
ORSEMI/安森美
-
SOT-563
22+ -
669900
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
-
ONSemiconductor
-
SOT-563
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
-
ON/ELNAF
-
SOT-563
1825+ -
3378
-
上海市
-
-
-
原装现货,精专配套,正品BOM表报价
NTZD3155CT2G 中文资料属性参数
- 标准包装:4,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:-
- FET 型:N 和 P 沟道
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:540mA,430mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 540mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:150pF @ 16V
- 功率 - 最大:250mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
- 供应商设备封装:SOT-563
- 包装:带卷 (TR)