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- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0675-$0.0972
更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563
- 封装：SOT-563，SOT-666
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.0675-$0.0972
NTZD3155CT1G 供应商
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NTZD3155CT1G
原装现货 -
ON
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SOT563
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深圳
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原装进口ON专卖店
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SOT-563-6
21+ -
12000
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上海市
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一级代理原装
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ON/安森美
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SOT-563
2024 -
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上海市
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ON
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8 -
3395
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杭州
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原装正品现货
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ON/安森美
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SOT563
21+ -
10000
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杭州
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只做原装现货，大量现货热卖
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ON
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SOT-563
22+授权代理 -
15800
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上海市
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旋尔只做进口原装，假一赔十...
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ORSEMI/安森美
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SOT-563
22+ -
669899
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上海市
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原装可开发票
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ONSemiconductor
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SOT-563
18+ -
400
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上海市
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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
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ON
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SOT-563
21+ -
60000
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上海市
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ONSemi
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SOT-563
新批号 -
8877000
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上海市
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
NTZD3155CT1G 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：N 和 P 沟道
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：540mA，430mA
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：2.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：150pF @ 16V
- 功率 - 最大：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商设备封装：SOT-563
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTZD3155CT1GOSTR