搜索
发布采购
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO
- 封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
NTTD1P02R2 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
ONSemiconductor
-
Micro8?
18+ -
400
-
上海市
-
-
-
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
NTTD1P02R2 中文资料属性参数
- 标准包装：4,000
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- FET 型：2 个 P 沟道（双）
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.45A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 1.45A，4.5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：265pF @ 16V
- 功率 - 最大：500mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商设备封装：Micro8?
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：NTTD1P02R2OS
NTTD1P02R2 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 NTTD1P02R2
|
Power MOSFET -20 V, -1.45 A, Dual P-Channel, Micro8? |
6页,116K | 查看 |